功率器件
功率模块
功率集成电路
传感器
智能控制
通讯与信号链
功率器件
Si MOSFET
IGBT
展示分类
收起
核心技术
工艺平台
公司一直致力于数模混合信号制程和功率IC制程的开发，拥有6吋、8吋及12吋全尺寸晶圆制造能力，并构建了独特的工艺平台体系，涵盖CMOS/Analog、BiCMOS、RF/Mixed-Signal、BCD、HV、e-NVM及MEMS 等，以及一系列客制化工艺平台。
工艺路线图
6&8吋路线图
| Tech. | BCD | HV CMOS | Mixed-Signal | Logic | e-NVW |
0.13μm/0.11μm |
|
|
| ||
0.18μm/0.153μm |
|
|
|
|
|
0.25μm |
|
| |||
0.35μm |
|
|
| ||
0.5μm |
|
|
|
| |
＞0.5μm |
|
|
|
| |
＞1.0μm |
|
|
| ||
MEMS | BAW/SAW, Pressure sensor, Microphone sensor, Photoelectric MEMS and Thermopiles sensor, Accelerometer, Gas sensor and Micro-mirror | ||||
Special Device | APD/SPAD, Si-Cap, eDTC | ||||
| |||||
12吋路线图
LP | e-NVM | HV | RF | BCD | ULP | |
90T |
|
|
| |||
90nm |
|  |
| |||
55nm |
| |
|
|
| |
40nm |
| |
|
|
| |
| ||||||
| 电压 | SGT | LV | SJ | IGBT |
15~30V |
|  &  | ||
30~60V |  | | ||
60~100V |
|
| ||
100~200V |
| |||
200~400V | & | |||
400~800V | | | ||
800~1200V | | | ||
1200~1700V |
| |||
| ||||
